loading...

مطالب تخصصی و فوق تخصصی (برق _الکترونیک) و (دکترای نانو _ میکرو الکترونیک)

توضیحی کامل درباره مباحث تخصصی و فوق تخصصی برق_الکترونیک و دکترای نانو _ میکرو الکترونیک

بازدید : 0
دوشنبه 17 فروردين 1404 زمان : 11:17
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5

مطالب تخصصی و فوق تخصصی (برق _الکترونیک)  و (دکترای نانو _ میکرو الکترونیک)

_ بخش شناخت از دیود ترایاک(TRIAC)

بزرگترین مزیتی که ( دیود ترایاک TRIAC) نسبت بهیکسو کننده کنترل شده سیلیکونی دارد.

پژوهشگر و نویسنده: دکتر ( افشین رشید)

نوع دیگری از دستگاه‌های نیمه‌هادی به نام "سوئیچ AC Triode" یا به اختصار Triac نیز وجود دارد که یکی از اعضای خانواده تریستور است که می‌تواند به عنوان یک دستگاه سوئیچینگ قدرت حالت جامد استفاده شود. اما بزرگترین مزیتی که تریاک نسبت بهیکسو کننده کنترل شده سیلیکونی (SCR) دارد این است که یک دستگاه سوئیچینگ "دو جهته" است.

working-of-triac_zr8i.png

به عبارت دیگر، یک تریاک می‌تواند با هر دو ولتاژ مثبت و منفی اعمال شده به آند آن و با اعمال پالس‌های مثبت و منفی به ترمینال گیت آن را به سمت هدایت هدایت کند و آن را به یک دستگاه کنترل شده سوئیچینگ دو ربع تبدیل کند. یک ترایاک درست مانند دو تریستور معمولی که به صورت موازی معکوس (پشت به پشت) به یکدیگر متصل شده اند، رفتار می‌کند و به دلیل این ترتیب، دو تریستور یک ترمینال دروازه مشترک همه در یک بسته سه ترمینال واحد دارند.

triac_quad_iii.svg_9jdr.png

مطالب تخصصی و فوق تخصصی (برق _الکترونیک)  و (دکترای نانو _ میکرو الکترونیک)

از آنجایی که در هر دو جهت شکل موج سینوسی هدایت می‌شود، مفهوم ترمینال آند و پایانه کاتدی که برای شناسایی پایانه‌‌های برق اصلی یک تریستور استفاده می‌ شود با شناسه‌‌های: MT 1 ، برای ترمینال اصلی 1 و MT 2 برای ترمینال اصلی 2 با ترمینال Gate که به آن ارجاع داده می‌ شود، جایگزین می‌ شوند. در اکثر کاربرد‌های سوئیچینگ AC، ترمینال گیت تریاک با ترمینال MT 1 مرتبط است.

بازدید : 0
يکشنبه 16 فروردين 1404 زمان : 11:06
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5

مطالب تخصصی و فوق تخصصی (برق _الکترونیک)  و (دکترای نانو _ میکرو الکترونیک)

آز دیود ترایاک TRIAC در مدارهایی با ویژگی سوئیچینگ "یک طرفه"

پژوهشگر و نویسنده: دکتر ( افشین رشید)

978675645_1q4n.png

unnamed_(16)_uy1y.gif

نکته : یک Triac می‌تواند توسط هر دو ولتاژ مثبت و منفی که بر روی آند آن اعمال می‌شود و با هر دو پالس ماشه مثبت و منفی که روی ترمینال Gate آن اعمال شده است ، مجدداً هدایت شود و آن را به یک دستگاه چهار سوئیچ گیت تبدیل کند.

می‌توان از تریستور‌ها برای کنترل لامپ‌ها ، موتورها یا مدارات استفاده کرد. که جریان را فقط از یک جهت ، از آند به کاتد عبور می‌دهد . برای مدارهای سوئیچینگ DC این ویژگی سوئیچینگ "یک طرفه" ممکن است قابل قبول باشد زیرا یک بار باعث می‌شود که تمام توان DC مستقیماً به بار تحویل داده شود. اما در مدارهای سوئیچینگ AC سینوسی ، این تعویض یک طرفه ممکن است مشکلی ایجاد کند زیرا تنها در طول نیمی‌از چرخه (مانند یک یکسو کننده نیم موج) انجام می‌شود وقتی که آند صرف نظر از کاری که سیگنال گیت انجام می‌دهد مثبت است. سپس برای عملکرد AC فقط نیمی‌از نیرو توسط یک تریستور به بار تحویل داده می‌شود. یک Triac دقیقاً مانند دو تریستور معمولی که به طور هم زمان معکوس (پشت به پشت) با همدیگر احاطه شده اند ، رفتار می‌کند و به دلیل این ترتیب ، دو تریستور یک ترمینال دروازه مشترک را با هم در یک بسته سه ترمینال واحد به اشتراک می‌گذارند.

مطالب تخصصی و فوق تخصصی (برق _الکترونیک)  و (دکترای نانو _ میکرو الکترونیک)

ا ز آنجا که یک ترایاک در هر دو جهت از یک موج موج سینوسی انجام می‌شود ، مفهوم ترمینال آندود و یک ترمینال Cathode که برای شناسایی ترمینال‌های اصلی قدرت یک تریستور استفاده می‌شود با شناسایی‌های جایگزین می‌شوند. در اکثر برنامه‌های تعویض AC ، ترمینال دروازه triac با ترمینال مشترک ، مشابه رابطه دروازه-کاتد تریستور یا رابطه پایه-امیتر ترانزیستور همراه است.

مطالب تخصصی و فوق تخصصی (برق _الکترونیک)  و (دکترای نانو _ میکرو الکترونیک)

untitle66770_pbe.jpg

ا ز آنجا که یک ترایاک در هر دو جهت از یک موج موج سینوسی انجام می‌شود ، مفهوم ترمینال آندود و یک ترمینال Cathode که برای شناسایی ترمینال‌های اصلی قدرت یک تریستور استفاده می‌شود با شناسایی‌های جایگزین می‌شوند. در اکثر برنامه‌های تعویض AC ، ترمینال دروازه triac با ترمینال مشترک ، مشابه رابطه دروازه-کاتد تریستور یا رابطه پایه-امیتر ترانزیستور همراه است. Triac یک مبدل AC سه پایه است که متفاوت از سایر مبدل‌های سیلیکونی کنترل شده میباشد. این یک دستگاه نیمه‌هادی دو طرفه، چهار لایه است که قدرت AC را کنترل می‌کند. ترایاک تا حداکثر قدرت ۱۶ کیلو وات در بازار موجود است. دیود ترایــاک عنصری مانند SCR اســت ، با این تفاوت که در مدار می‌تواند ولتاژ را در هر دو نیم ســیکل مثبت و منفی برش دهد و روی هر دو نیم ســیکل مثبت و منفی کنترل داشــته باشد.

مطالب تخصصی و فوق تخصصی (برق _الکترونیک)  و (دکترای نانو _ میکرو الکترونیک)

مطالب تخصصی و فوق تخصصی (برق _الکترونیک)  و (دکترای نانو _ میکرو الکترونیک)

نکته مهم _ برای روشــن کردن ترایاک در مدار اِلکتریکی ، نیــاز به رعایت قطب‌های ولتاژ نیســت . یعنی در هر شــرایطی ترایــاک را می‌توان روشن کرد.

عملکرد ترایاک مانند دو عدد تریستوری است که با یکدیگر به صورت موازی و معکوس بسته شده اند . در عمل اگر هدف کنترل ولتاژ در نیم سیکل‌های مثبت و منفی باشــد ، می‌توانیم از دو عدد تریستور که به طور موازی و معکوس بسته شده اند استفاده کنیم ، این روش در توان‌های خیلی زیاد به کار می‌رود. برای روشــن کردن ترایاک ، نیــاز به رعایت قطب‌های ولتاژ نیســت . یعنی در هر شــرایطی ترایــاک را می‌توان روشن کرد .این امر ضریب اطمینان روشن شدن ترایاک را کاهــش می‌دهد، از این رو این قطعه در مدار‌هایی که زیاد حساس نیستند اســتفاده می‌شود. ترایاک با آمپر‌های بسیار بالا نیز ساخته می‌شود.

پژوهشگر و نویسنده: دکتر ( افشین رشید)

دکترایِ تخصصی نانو _ میکرو الکترونیک

بازدید : 1
شنبه 15 فروردين 1404 زمان : 11:41
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5

مطالب تخصصی و فوق تخصصی (برق _الکترونیک)  و (دکترای نانو _ میکرو الکترونیک)

بررسی عملکرد(دیود ترایاکTRIAC) در مدارهای سوئیچینگDC

پژوهشگر و نویسنده: دکتر ( افشین رشید)

مطالب تخصصی و فوق تخصصی (برق _الکترونیک)  و (دکترای نانو _ میکرو الکترونیک)

unnamed_(17)_l2sw.gif

نکته : یک Triac می‌تواند توسط هر دو ولتاژ مثبت و منفی که بر روی آند آن اعمال می‌شود و با هر دو پالس ماشه مثبت و منفی که روی ترمینال Gate آن اعمال شده است ، مجدداً هدایت شود و آن را به یک دستگاه چهار سوئیچ گیت تبدیل کند.

می‌توان از تریستور‌ها برای کنترل لامپ‌ها ، موتورها یا مدارات استفاده کرد. که جریان را فقط از یک جهت ، از آند به کاتد عبور می‌دهد . برای مدارهای سوئیچینگ DC این ویژگی سوئیچینگ "یک طرفه" ممکن است قابل قبول باشد زیرا یک بار باعث می‌شود که تمام توان DC مستقیماً به بار تحویل داده شود. اما در مدارهای سوئیچینگ AC سینوسی ، این تعویض یک طرفه ممکن است مشکلی ایجاد کند زیرا تنها در طول نیمی‌از چرخه (مانند یک یکسو کننده نیم موج) انجام می‌شود وقتی که آند صرف نظر از کاری که سیگنال گیت انجام می‌دهد مثبت است. سپس برای عملکرد AC فقط نیمی‌از نیرو توسط یک تریستور به بار تحویل داده می‌شود. یک Triac دقیقاً مانند دو تریستور معمولی که به طور هم زمان معکوس (پشت به پشت) با همدیگر احاطه شده اند ، رفتار می‌کند و به دلیل این ترتیب ، دو تریستور یک ترمینال دروازه مشترک را با هم در یک بسته سه ترمینال واحد به اشتراک می‌گذارند.ا ز آنجا که یک ترایاک در هر دو جهت از یک موج موج سینوسی انجام می‌شود ، مفهوم ترمینال آندود و یک ترمینال Cathode که برای شناسایی ترمینال‌های اصلی قدرت یک تریستور استفاده می‌شود با شناسایی‌های جایگزین می‌شوند. در اکثر برنامه‌های تعویض AC ، ترمینال دروازه triac با ترمینال مشترک ، مشابه رابطه دروازه-کاتد تریستور یا رابطه پایه-امیتر ترانزیستور همراه است.

ا ز آنجا که یک ترایاک در هر دو جهت از یک موج موج سینوسی انجام می‌شود ، مفهوم ترمینال آندود و یک ترمینال Cathode که برای شناسایی ترمینال‌های اصلی قدرت یک تریستور استفاده می‌شود با شناسایی‌های جایگزین می‌شوند. در اکثر برنامه‌های تعویض AC ، ترمینال دروازه triac با ترمینال مشترک ، مشابه رابطه دروازه-کاتد تریستور یا رابطه پایه-امیتر ترانزیستور همراه است. Triac یک مبدل AC سه پایه است که متفاوت از سایر مبدل‌های سیلیکونی کنترل شده میباشد. این یک دستگاه نیمه‌هادی دو طرفه، چهار لایه است که قدرت AC را کنترل می‌کند. ترایاک تا حداکثر قدرت ۱۶ کیلو وات در بازار موجود است. دیود ترایــاک عنصری مانند SCR اســت ، با این تفاوت که در مدار می‌تواند ولتاژ را در هر دو نیم ســیکل مثبت و منفی برش دهد و روی هر دو نیم ســیکل مثبت و منفی کنترل داشــته باشد.

عملکرد ترایاک مانند دو عدد تریستوری است که با یکدیگر به صورت موازی و معکوس بسته شده اند . در عمل اگر هدف کنترل ولتاژ در نیم سیکل‌های مثبت و منفی باشــد ، می‌توانیم از دو عدد تریستور که به طور موازی و معکوس بسته شده اند استفاده کنیم ، این روش در توان‌های خیلی زیاد به کار می‌رود. برای روشــن کردن ترایاک ، نیــاز به رعایت قطب‌های ولتاژ نیســت . یعنی در هر شــرایطی ترایــاک را می‌توان روشن کرد .این امر ضریب اطمینان روشن شدن ترایاک را کاهــش می‌دهد، از این رو این قطعه در مدار‌هایی که زیاد حساس نیستند اســتفاده می‌شود. ترایاک با آمپر‌های بسیار بالا نیز ساخته می‌شود.

پژوهشگر و نویسنده: دکتر ( افشین رشید)

دکترایِ تخصصی نانو _ میکرو الکترونیک

بازدید : 2
جمعه 14 فروردين 1404 زمان : 11:06
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5

مطالب تخصصی و فوق تخصصی (برق _الکترونیک)  و (دکترای نانو _ میکرو الکترونیک)

_ بخش شناخت از دیود ترایاک (TRIAC)

" بررسی و تحلیل " دیود Pinout ترایاک( Triac pinout) مانند کلید در مدار‌های جریان متناوب با فرکانس پایین

پژوهشگر و نویسنده: دکتر ( افشین رشید)

مطالب تخصصی و فوق تخصصی (برق _الکترونیک)  و (دکترای نانو _ میکرو الکترونیک)

مطالب تخصصی و فوق تخصصی (برق _الکترونیک)  و (دکترای نانو _ میکرو الکترونیک)

نکته : دیود TRIAC قطعات الکترونیکی هستند که به عنوان کلید در مدار‌های جریان متناوب با فرکانس پایین استفاده می‌شوند. TRIAC‌ها دستگاه‌های سه ترمینال هستند: Gate (G) ، Anode1و Anode 2 و از آنها به عنوان کلید‌های دو جهته برای جریان و ولتاژ متناوب استفاده می‌شود. عملکرد آن بسیار جالب است: عبور جریان بین پایانه‌های A1 و A2 یا بین A2 و A1 فقط در صورت اعمال سیگنال جریان به دروازه رخ می‌دهد. TRIAC حتی اگر جریان روی دروازه قطع شود ، در هدایت باقی می‌ماند.

نوع دیگری از دستگاه نیمه‌هادی به نام "سوئیچ Triode AC" یا Triac به طور خلاصه وجود دارد که همچنین عضو خانواده تریستور است که به عنوان وسیله تعویض نیرو در حالت جامد مورد استفاده قرار می‌گیرد اما مهمتر از همه این است که یک دستگاه "دو طرفه" است. به عبارت دیگر ، یک Triac می‌تواند توسط هر دو ولتاژ مثبت و منفی که بر روی آند آن اعمال می‌شود و با هر دو پالس ماشه مثبت و منفی که روی ترمینال Gate آن اعمال شده است ، مجدداً هدایت شود و آن را به یک دستگاه چهار سوئیچ گیت تبدیل کند. می‌توان از تریستورها برای کنترل لامپ‌ها ، موتورها یا مدارات استفاده کرد. که جریان را فقط از یک جهت ، از آند به کاتد عبور می‌دهد . برای مدارهای سوئیچینگ DC این ویژگی سوئیچینگ "یک طرفه" ممکن است قابل قبول باشد زیرا یک بار باعث می‌شود که تمام توان DC مستقیماً به بار تحویل داده شود. اما در مدارهای سوئیچینگ AC سینوسی ، این تعویض یک طرفه ممکن است مشکلی ایجاد کند زیرا تنها در طول نیمی‌از چرخه (مانند یک یکسو کننده نیم موج) انجام می‌شود وقتی که آند صرف نظر از کاری که سیگنال گیت انجام می‌دهد مثبت است. سپس برای عملکرد AC فقط نیمی‌از نیرو توسط یک تریستور به بار تحویل داده می‌شود.

untit76647890_z2r.jpg

یک Triac دقیقاً مانند دو تریستور معمولی که به طور هم زمان معکوس (پشت به پشت) با همدیگر احاطه شده اند ، رفتار می‌کند و به دلیل این ترتیب ، دو تریستور یک ترمینال دروازه مشترک را با هم در یک بسته سه ترمینال واحد به اشتراک می‌گذارند.ا ز آنجا که یک ترایاک در هر دو جهت از یک موج موج سینوسی انجام می‌شود ، مفهوم ترمینال آندود و یک ترمینال Cathode که برای شناسایی ترمینال‌های اصلی قدرت یک تریستور استفاده می‌شود با شناسایی‌های جایگزین می‌شوند. در اکثر برنامه‌های تعویض AC ، ترمینال دروازه triac با ترمینال مشترک ، مشابه رابطه دروازه-کاتد تریستور یا رابطه پایه-امیتر ترانزیستور همراه است.

مطالب تخصصی و فوق تخصصی (برق _الکترونیک)  و (دکترای نانو _ میکرو الکترونیک)

مطالب تخصصی و فوق تخصصی (برق _الکترونیک)  و (دکترای نانو _ میکرو الکترونیک)

دیود Pinout ترایاک( Triac pinout) یک مبدل AC سه پایه است که متفاوت از سایر مبدل‌های سیلیکونی کنترل شده میباشد. این یک دستگاه نیمه‌هادی دو طرفه، چهار لایه است که قدرت AC را کنترل می‌کند. ترایاک تا حداکثر قدرت ۱۶ کیلو وات در بازار موجود است. دیود ترایــاک عنصری مانند SCR اســت ، با این تفاوت که در مدار می‌تواند ولتاژ را در هر دو نیم ســیکل مثبت و منفی برش دهد و روی هر دو نیم ســیکل مثبت و منفی کنترل داشــته باشد. عملکرد ترایاک مانند دو عدد تریستوری است که با یکدیگر به صورت موازی و معکوس بسته شده اند . در عمل اگر هدف کنترل ولتاژ در نیم سیکل‌های مثبت و منفی باشــد ، می‌توانیم از دو عدد تریستور که به طور موازی و معکوس بسته شده اند استفاده کنیم ، این روش در توان‌های خیلی زیاد به کار می‌رود. برای روشــن کردن ترایاک ، نیــاز به رعایت قطب‌های ولتاژ نیســت . یعنی در هر شــرایطی ترایــاک را می‌توان روشن کرد .این امر ضریب اطمینان روشن شدن ترایاک را کاهــش می‌دهد، از این رو این قطعه در مدار‌هایی که زیاد حساس نیستند اســتفاده می‌شود. ترایاک با آمپر‌های بسیار بالا نیز ساخته می‌شود.

پژوهشگر و نویسنده: دکتر ( افشین رشید)

دکترایِ تخصصی نانو _ میکرو الکترونیک

بازدید : 31
پنجشنبه 13 فروردين 1404 زمان : 11:06
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5

مطالب تخصصی و فوق تخصصی (برق _الکترونیک)  و (دکترای نانو _ میکرو الکترونیک)

_ بخش شناخت از دیود ترایاک (TRIAC)

دیود Triac ترایاک (دو تریستور در قالب یک دیود) _ بررسی بیشتر ساختار

پژوهشگر و نویسنده: دکتر ( افشین رشید )

نکته : دیود‌های TRIAC زیر مجموعه‌‌‌ای از تریستور‌ها هستند و مربوط به یکسو کننده‌های کنترل سیلیکون (SCR) میباشند. TRIAC با تریستور تفاوت دارد زیرا اجازه می‌دهد جریان در هر دو جهت جریان داشته باشد ، در حالی که یک تریستور فقط می‌تواند جریان را در یک جهت واحد انجام دهد.

از آنجا که TRIAC وسیله‌‌‌ای دو جهته است ، جریان می‌تواند از یک پایه به در هنگام شروع ترمینال دروازه جریان یابد. برای TRIAC این ولتاژ ماشه که باید روی ترمینال دروازه اعمال شود می‌تواند مثبت یا منفی با توجه به ترمینال متغیر باشد. بنابراین این TRIAC را در چهار حالت عملیاتی قرار می‌دهد . برای روشن کردن یک TRIAC ، یک ولتاژ / پالس دروازه مثبت یا منفی باید به پین ​​دروازه TRIAC ارائه شود. TRIAC با شروع یکی از دو تریستور در داخل قالب دیود ترایاک، بر اساس قطبیت ترمینال‌ها شروع به انجام آن می‌کند. و بنابراین ترایاک را برای برنامه‌های AC ایده آل می‌کند. حداقل ولتاژی که برای روشن کردن یک TRIAC باید روی پین گیت اعمال شود به عنوان ولتاژ دروازه آستانه (V ) و جریان حاصل از طریق پین گیت به عنوان جریان دروازه آستانه ( I ) گفته می‌شود. هنگامی‌که این ولتاژ اعمال می‌شود پین گیت TRIAC به صورت یکسو کننده دو طرفه پیش می‌رود و شروع به انجام می‌کند ، زمان لازم برای تغییر TRIAC از حالت خاموش به حالت ، زمان تبدیل (T ) نامیده می‌شود. به ترایاک می‌توان هر دو ولتاژ منفی و مثبت را اعمال کرد و با اعمال ولتاژ مثبت یا منفی به پایه‌ی گیت ،آن را در هر دو جهت کنترل کرد.

ترایاک درست رفتاری مانند دو تریستور موازی و معکوس دارند که به یک دیگر متصل شده اند ،این ترتیب قرار گرفتن دو تریستور باعث می‌شود ،از یک ترمینال مشترک به عنوان گیت در یک بسته بندی سه پایه استفاده کرد.

مطالب تخصصی و فوق تخصصی (برق _الکترونیک)  و (دکترای نانو _ میکرو الکترونیک)

unnamed_(16)_uy1y.gif

مطالب تخصصی و فوق تخصصی (برق _الکترونیک)  و (دکترای نانو _ میکرو الکترونیک)

ترایاک متشکل از چهار لایه نیمه‌هادی PNPN جهت عبور جریان مثبت و چهار لایه NPNP جهت عبور جریان منفی است. ترایاک یک قطعه سه پایه دو جهته است که در حالت OFF جریان را مسدود می‌کند و معادل مدار باز است. ترایاک بیشتر به عنوان سوئیچینگ و کنترل توان سیستم‌های AC کاربرد دارد.

ترایاک قادر است با اعمال یک پالس مثبت یا منفی به گیت آن ،از حالت OFF به حالت ON تغییر وضعیت بدهد.

بازدید : 12
چهارشنبه 12 فروردين 1404 زمان : 10:26
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5

مطالب تخصصی و فوق تخصصی (برق _الکترونیک)  و (دکترای نانو _ میکرو الکترونیک)

_ بخش شناخت از دیود ترایاک (TRIAC)

بررسی (ســاختمان ، منحنی مشــخصه ، عملکرد) و کاربرد دیود ترایاک TRIAC در مدار الکتریکی

پژوهشگر و نویسنده: دکتر ( افشین رشید )

مطالب تخصصی و فوق تخصصی (برق _الکترونیک)  و (دکترای نانو _ میکرو الکترونیک)

نکته: دیود ترایــاک عنصری مانند SCR اســت ، با این تفاوت که در مدار می‌تواند ولتاژ را در هر دو نیم ســیکل مثبت و منفی برش دهد و روی هر دو نیم ســیکل مثبت و منفی کنترل داشــته باشد.

عملکرد ترایاک مانند دو عدد تریستوری است که با یکدیگر به صورت موازی و معکوس بسته شده اند. در عمل اگر هدف کنترل ولتاژ در نیم سیکل‌های مثبت و منفی باشــد ، می‌توانیم از دو عدد تریستور که به طور موازی و معکوس بسته شده اند استفاده کنیم ، این روش در توان‌های خیلی زیاد به کار می‌رود.

برای روشــن کردن ترایاک ، نیــاز به رعایت قطب‌های ولتاژ نیســت . یعنی در هر شــرایطی ترایــاک را می‌توان روشن کرد .این امر ضریب اطمینان روشن شدن ترایاک را کاهــش می‌دهد، از این رو این قطعه در مدارهایی که زیاد حساس نیستند اســتفاده می‌شود. ترایاک با آمپرهای بسیار بالا نیز ساخته می‌شود.

مطالب تخصصی و فوق تخصصی (برق _الکترونیک)  و (دکترای نانو _ میکرو الکترونیک)

ترایاک یک کلید دو طرف نیمه‌هادی اســت و سه پایه Main Terminal دارد . پایــه‌های آن را و G ( گیت) می‌نامند. با توجه به مدار معادل دیودی ترایاک ، چون بین گیت و Main terminal دو لایه سد وجود دارد بنابراین با استفاده از مولتی متر پایه Main terminal را تشــخیص دهیم .زیرا پایه ی فقــط می‌توانیم پایه از هر دو طرف ، مقاومت کمی نسبت به گیت ترایاک را با اهم متر نشان می‌دهد . علت نشــان دادن مقاومت کم بین این دو پایه ، مشابه بودن مــدار معادل به صورت دو دیود مــوازی و معکوس و نسبت به پایه میانی TRIAC اســت.

بازدید : 13
چهارشنبه 12 فروردين 1404 زمان : 10:26
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5

مطالب تخصصی و فوق تخصصی (برق _الکترونیک)  و (دکترای نانو _ میکرو الکترونیک)

_ Nanoplasmonics and Nanoelectronics Model Section

The relationship betweennanoelectronics and plasmonic waves is a process based on electrical, optical, magnetic, and surface properties.

Researcher and Author: Dr. ( Afshin Rashid)

مطالب تخصصی و فوق تخصصی (برق _الکترونیک)  و (دکترای نانو _ میکرو الکترونیک)

مطالب تخصصی و فوق تخصصی (برق _الکترونیک)  و (دکترای نانو _ میکرو الکترونیک)

Note: These nanostructures consist of metal and dielectric, whose dimensions are below the excitation wavelength (the wavelength of the radiation that excites the plasmonic waves).

With the technological approach towards the accumulation of optoelectronic circuits, the problems of construction and phenomena that helped to prevent further compression of the structure, caused the use of plasmonic structures and plasmonic waves to be investigated and used. Plasmonic is expressed based on the interaction process between electromagnetic waves and conduction electrons in metals with nano-dimensions. Analytically, the reason for the rapid energy drop of electrons when passing through metals is that this energy is spent on the cumulative and oscillatory motion of free electrons of the metal and it was called plasmon. The reason for this naming was the similarity of these oscillations of electrons with the oscillations of particles in the plasma environment. The term polariton is used for the oscillation of bound electrons of the metal in the state of coupling with phonons of the incident beam. The name polariton was used for quasiparticles that were half matter and half photon, which is the coupled state between a photon of the elementary excitation beam and the conduction electrons of the metal, and the term plasmon polariton is used to express the coupled state between a photon and a plasmon.

The division of this emerging science into two areas, localized surface plasmons and surface plasmon polaritons, is briefly introduced. In localized surface plasmons, the basis of interactions is nanoparticles, and their properties in exciting this mode of plasmonic waves are investigated. In surface plasmon polaritons, by introducing their working principle, there is its field formulation and how these structures can overcome the diffraction limit. Nanostructures have fundamental differences from each other, both in terms of synthesis and production, and in terms of properties and applications. In general, the electrical, optical, magnetic, surface, etc. properties of these three structures are fundamentally different from each other, and of course their applications are also different. One-dimensional nanostructures can be used for electronic connections, while there is no such application for zero-dimensional and two-dimensional nanomaterials. The main basis of nanotechnology is the use of materials. Every material in space has three dimensions: length, width, and height. If at least one of these three dimensions in a material is in the nanometer range, it is called a material or a nanostructure.

مطالب تخصصی و فوق تخصصی (برق _الکترونیک)  و (دکترای نانو _ میکرو الکترونیک)

Conclusion:

As technology moves towards the integration of optoelectronic circuits, fabrication problems and phenomena that prevent further compactification of the structure have led to the exploration and use of plasmonic structures and plasmonic waves. These nanostructures consist of metal and dielectric whose dimensions are below the excitation wavelength (the wavelength of the radiation that excites the plasmonic waves).

Researcher and Author: Dr. ( Afshin Rashid)

Specialized PhD in Nano-Microelectronics

بازدید : 4
سه شنبه 11 فروردين 1404 زمان : 11:06
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5

مطالب تخصصی و فوق تخصصی (برق _الکترونیک)  و (دکترای نانو _ میکرو الکترونیک)

_ بخش نانو پلاسمونیک و اُلگوی نانو الکترونیک

ارتباط بین اُلگوی نانو اِلکترونیک و اَمواج پلاسمونیک فَرآیندی بر اساس خواص اِلکتریکی ، نوری ، مغناطیسی ، سطحیمیباشد

پژوهشگر و نویسنده: دکتر ( افشین رشید)

مطالب تخصصی و فوق تخصصی (برق _الکترونیک)  و (دکترای نانو _ میکرو الکترونیک)

مطالب تخصصی و فوق تخصصی (برق _الکترونیک)  و (دکترای نانو _ میکرو الکترونیک)

نکته: این نانو ساختار‌ها متشکل از فلز و دی الکتریک می‌باشد که ابعاد آنها زیر طول موج تحریکی ( طول موج پرتویی که باعث تحریک امواج پلاسمونیک می‌شود) قرار دارد.

با رویکرد تکنولوژی به سمت تجمع مدارات الکترونیک نوری، مشکلات ساخت و پدیده‌هایی که به جلوگیری از فشرده سازی بیشتر ساختار کمک می‌کرد، باعث شد تا استفاده از ساختارهای پلاسمونیک و امواج پلاسمونیک مورد بررسی و استفاده قرار بگیرد. پلاسمونیک بر اساس فرآیند برهم کنش بین امواج الکترومغناطیسی و الکترون‌های رسانش در فلزات با ابعاد نانو بیان شده است. به صورت تحلیلی دلیل افت سریع انرژی الکترون‌ها در عبور از فلزات میباشد و نتیجه گرفت این انرژی صرف حرکت تجمعی و نوسان گونه الکترون‌های آزاد فلز می‌شود و آن را پلاسمون نامید. دلیل این نام گذاری شباهت این نوسانات الکترون‌ها با نوسان‌های ذرات محیط پلاسما بود. به اصطلاح عبارت پلاریتون را برای نوسان الکترون‌های مقید فلز در حالت جفت شدگی با فونون‌های پرتو فرودی به کار میرود. نام پلاریتون برای شبه ذراتی که نیم ماده و نیم فوتون بودند، بکار گرفته شد که حالت تزویج شده بین یک فوتون پرتو تحریک کننده ابتدایی و الکترون‌های رسانش فلز است و اصطلاح پلاسمون پلاریتون (Plasmon Polariton) برای بیان علت تزویج شده بین یک فوتون و یک پلاسمون است.

تقسیم بندی این علم نوپا به دو حوزه پلاسمون‌های سطحی موضعی و پلاسمون پلاریتون‌های سطحی هر یک به طور اجمالی معرفی می‌شود. در پلاسمون‌های سطحی موضعی اساس برهم کنش‌ها نانو ذرات می‌باشد که به بررسی خواص آنها در تحریک این مد از امواج پلاسمونیک پرداخته شده است. در پلاسمون پلاریتون‌های سطحی با معرفی بنیاد کاری آنها فرمول بندی میدانی آن و چگونگی گذشتن از حد پراش توسط این ساختار‌ها وجود دارد. نانو ساختار‌ها ، هم از جهت سنتز و تولید، و هم از جهت خواص و کاربرد‌ها تفاوت‌‌های اساسی با هم دارند. به طور کلی خواص الکتریکی، نوری، مغناطیسی، سطحی و غیره این سه ساختار با یکدیگر تفاوت ‌های اساسی دارند و بالطبع کاربرد‌هایشان نیز متفاوت است. از نانو ساختار‌های یک بعدی می‌‌توان برای اتصالات الکترونیکی استفاده کرد درحالی ‌که برای نانو مواد صفر بعدی و دو بعدی چنین کاربردی وجود ندارد. پایه اصلی نانو تکنولوژی بر استفاده از مواد است. هر ماده ‌ای در فضا دارای سه بعد طول، عرض و ارتفاع است. اگر در ماده ‌ای حداقل یکی از این سه بعد در محدوده نانو متری باشد به آن یک ماده، یک نانو ساختار گویند.

مطالب تخصصی و فوق تخصصی (برق _الکترونیک)  و (دکترای نانو _ میکرو الکترونیک)

نتیجه گیری :

با رویکرد تکنولوژی به سمت تجمع مدارات الکترونیک نوری، مشکلات ساخت و پدیده‌هایی که به جلوگیری از فشرده سازی بیشتر ساختار کمک می‌کرد، باعث شد تا استفاده از ساختارهای پلاسمونیک و امواج پلاسمونیک مورد بررسی و استفاده قرار بگیرد. این نانو ساختار‌ها متشکل از فلز و دی الکتریک می‌باشد که ابعاد آنها زیر طول موج تحریکی ( طول موج پرتویی که باعث تحریک امواج پلاسمونیک می‌شود) قرار دارد.

پژوهشگر و نویسنده: دکتر ( افشین رشید)

دکترایِ تخصصی نانو _ میکرو الکترونیک

بازدید : 2
سه شنبه 11 فروردين 1404 زمان : 11:06
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5

مطالب تخصصی و فوق تخصصی (برق _الکترونیک)  و (دکترای نانو _ میکرو الکترونیک)

_ Nanoplasmonics and Nanoelectronics Model Section

Nanoelectronics model and investigation of focused nanoplasmonic diaphragm methodwith nanoelectric field distribution in the entangled diaphragm structure in an aluminum film at a wavelength of less than 2 nm

Researcher and Author: Dr. ( Afshin Rashid)

مطالب تخصصی و فوق تخصصی (برق _الکترونیک)  و (دکترای نانو _ میکرو الکترونیک)

Note: The plasmonic lithography system with a contact probe is a nano-diaphragm-shaped (entangled) in a metal film plate covered in the lower part (dimensions less than 10 nm) , to focus a diode laser beam with a wavelength of 405 nm onto the nano-diaphragm.

Lithographic systems using such high-transmission nano-apertures have achieved sub-diffraction resolution, and have initiated the development of new designs of plasmonic nanolithography. To achieve high optical resolution, the distance between the aperture and the photoresist must be precisely maintained in the range of a few tens of nanometers, because the near-field coupling is very sensitive to the distance. In addition to this difficulty, a major drawback of near-field lithography is the low patterning power. For rapid patterning of nanoscale features, molecular features are printed by contact printing, parallel processes with two-dimensional cantilever arrays or flexible polymer pen arrays for plasmonic nanolithography (10 nm) and the fabrication of nanoelectronic devices.

مطالب تخصصی و فوق تخصصی (برق _الکترونیک)  و (دکترای نانو _ میکرو الکترونیک)

The parallel process with a pen array was only intended for an array pattern of the same structure, because each pen of the array cannot be activated separately. To produce nanoscale patterns on a larger scale, we need a probe array whose elements are activated separately. Using an array of nanoaperture probes in a parallel process is a promising way to realize high-throughput, near-field optical lithography. However, in practice, it is difficult to implement an optical probe array that holds thousands or millions of elements for near-field recording, because the distance between each probe and the pattern substrate must be precisely maintained in the range of tens of nanometers. Each optical probe has an additional solid thin film layer under the diaphragm to physically contact the substrate and maintain the gap distance during scanning.

مطالب تخصصی و فوق تخصصی (برق _الکترونیک)  و (دکترای نانو _ میکرو الکترونیک)

For contact plasmonic nanolithography, an optical probe with a high-transmittance and wide-area nanodiaphragm is embedded in a metal film. To protect the diaphragm from contamination and wear, the optical probe is filled with a dielectric material in the hole and covered with a dielectric protective layer whose thickness is controlled by the gap distance between the probe and the substrate. The electric field distribution in the interlaced diaphragm structure in an aluminum film at a wavelength of less than 2 nm is calculated by a direct-axis polarized beam using contact plasmonic nanolithography. Dimensions in the fabrication of nanoelectronic devices and accessories are calculated to simulate the realistic process of patterning on the resistance of the fabrication of nanoelectronic devices and accessories. The dielectric medium is silica glass, which is transparent at the wavelength of interest and easily coated with plasma chemical vapor deposition of nanoparticles.

مطالب تخصصی و فوق تخصصی (برق _الکترونیک)  و (دکترای نانو _ میکرو الکترونیک)

Conclusion:

The plasmonic lithography system with a contact probe is a nanodiaphragm-shaped (entangled) in a metal film plate covered in the lower part (dimensions less than 10 nm) , to focus a diode laser beam with a wavelength of 405 nm onto the nanodiaphragm.

Researcher and Author: Dr. ( Afshin Rashid)

Specialized PhD in Nano-Microelectronics

بازدید : 2
دوشنبه 10 فروردين 1404 زمان : 10:01
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5

مطالب تخصصی و فوق تخصصی (برق _الکترونیک)  و (دکترای نانو _ میکرو الکترونیک)

_ بخش نانو پلاسمونیک و اُلگوی نانو الکترونیک

اُلگوی نانو الکترونیکو بررسی شیوه دیآفراگم نانو پلاسمونیک متمرکز با توزیع میدان نانو الکتریکی در ساختار دیافراگم در هم پیچیده در یک فیلم آلومینیومی‌در طول موج کمتر از ۲ نانومتر

پژوهشگر و نویسنده: دکتر ( افشین رشید)

مطالب تخصصی و فوق تخصصی (برق _الکترونیک)  و (دکترای نانو _ میکرو الکترونیک)

نکته: سیستم لیتوگرافی پلاسمونی با کاوشگر تماس به صورت نانو دیآفراگم به شکل (درهم پیچیده) در یک صفحه فیلم فلزی که در بخش پایین (ابعاد کمتر از 10 نانو متر) پوشانده شده است ، تا یک پرتو لیزر دیودی با طول موج 405 نانومتر را بر روی دیآفراگم نانو متمرکز کند.

سیستم لیتوگرافی با استفاده از چنین بالا انتقال نانو دیافراگم وضوح زیر از حد پراش دست یافته اند، و توسعه طرح‌های جدید از نانولیتوگرافی پلاسمونیک را آغاز کرده اند برای دستیابی به وضوح نوری بالا ، فاصله بین دیافراگم و مقاومت در برابر عکس باید دقیقاً در محدوده چند ده نانو متر حفظ شود ، زیرا اتصال میدان نزدیک به فاصله بسیار حساس است. علاوه بر این دشواری ، یک اشکال اصلی لیتوگرافی نزدیک میدان ، کم بودن توان الگوسازی است. برای الگوسازی سریع مقیاس نانو ، ویژگی‌های مولکول به روش چاپ تماس ، فرآیندهای موازی با آرایه‌های دو بعدی کنسول یا آرایه‌های قلم پلیمری انعطاف پذیر برای نانو لیتوگرافی پِلاسمونی (10 نانو متری) و ساخت اَدوات نانو اِلکترونیک انجام میگیرد.

مطالب تخصصی و فوق تخصصی (برق _الکترونیک)  و (دکترای نانو _ میکرو الکترونیک)

فرآیند موازی با یک آرایه قلم فقط برای یک الگوی آرایه از همان ساختار در نظر گرفته شده بود ، زیرا هر قلم آرایه نمی‌تواند به طور جداگانه فعال شود. برای تولید الگوهای مقیاس نانو در مقیاس بزرگتر ، به یک آرایه پروب نیاز داریم که عناصر آن به طور جداگانه فعال شوند. استفاده از آرایه‌‌‌ای از پروبهای نانو دیافراگم در یک فرآیند موازی ، راهی امیدوارکننده برای تحقق لیتوگرافی نوری با توان بالا و نزدیک میدان است. با این حال ، در عمل پیاده سازی یک آرایه کاوشگر نوری که هزاران یا میلیون‌ها عنصر را برای ضبط میدان نزدیک نگه می‌دارد ، دشوار است ، زیرا فاصله بین هر کاوشگر و بستر الگو باید در محدوده دهها نانومتر به طور دقیق حفظ شود. هر کاوشگر نوری دارای یک لایه فیلم نازک جامد اضافی در زیر دیآفراگم است تا بتواند به صورت فیزیکی با بستر تماس گرفته و فاصله شکاف را در طول اسکن حفظ کند.

مطالب تخصصی و فوق تخصصی (برق _الکترونیک)  و (دکترای نانو _ میکرو الکترونیک)

برای نانو لیتوگرافی پلاسمونی در حالت تماس ، یک کاوشگر نوری که دارای یک دیآفراگم نانو با قابلیت انتقال بالا و پهن در یک فیلم فلزی است. برای محافظت از دیآفراگم در برابر آلودگی و سایش ، کاوشگر نوری با یک ماده دی الکتریک در سوراخ پر شده و با یک لایه محافظ دی الکتریک پوشانده شده است که ضخامت آن توسط فاصله شکاف بین کاوشگر و بستر تنظیم می‌شود. توزیع میدان الکتریکی را در ساختار دیافراگم در هم پیچیده در یک فیلم آلومینیومی‌در طول موج کمتر از ۲ نانومتر با یک پرتو برخورد قطبی محور مستقیم با استفاده از نانو لیتوگرافی پلاسمونی در حالت تماس ابعاد در ساخت اَدوات و اَفزاره‌های نانو الکترونیکمحاسبه می‌شود برای شبیه سازی فرآیند واقع گرایانه الگوبرداری بر روی مقاومت در برابر ساخت اَدوات و اَفزاره‌های نانو الکترونیکشدت موج صفحه برخورد رسانه دی الکتریک شیشه سیلیس است که در طول موج مورد شفاف و به راحتی با‌های پلاسما رسوب شیمیایی بخار نانو ذرات پوشیده شده است.

مطالب تخصصی و فوق تخصصی (برق _الکترونیک)  و (دکترای نانو _ میکرو الکترونیک)

نتیجه گیری :

سیستم لیتوگرافی پلاسمونی با کاوشگر تماس به صورت نانو دیآفراگم به شکل (درهم پیچیده) در یک صفحه فیلم فلزی که در بخش پایین (ابعاد کمتر از 10 نانو متر) پوشانده شده است ، تا یک پرتو لیزر دیودی با طول موج 405 نانومتر را بر روی دیآفراگم نانو متمرکز کند.

پژوهشگر و نویسنده: دکتر ( افشین رشید)

دکترایِ تخصصی نانو _ میکرو الکترونیک

تعداد صفحات : -1

آمار سایت
  • کل مطالب : 0
  • کل نظرات : 0
  • افراد آنلاین : 1
  • تعداد اعضا : 0
  • بازدید امروز : 24
  • بازدید کننده امروز : 15
  • باردید دیروز : 41
  • بازدید کننده دیروز : 37
  • گوگل امروز : 0
  • گوگل دیروز : 0
  • بازدید هفته : 25
  • بازدید ماه : 354
  • بازدید سال : 1752
  • بازدید کلی : 1817
  • کدهای اختصاصی